晶合集成获得发明专利授权:“一种沟槽的制作方法、半导体器件及其制作方法”
2025年08月20日 | 浏览量:65766

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证券之星消息,根据天眼查APP数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种沟槽的制作方法、半导体器件及其制作方法”,专利申请号为CN202510705018.X,授权日为2025年8月19日。
专利摘要:本发明公开了一种沟槽的制作方法、半导体器件及其制作方法,涉及半导体技术领域,该制作方法包括:提供衬底,在衬底上形成第一掩膜层,并以光罩为掩膜对第一掩膜层进行刻蚀,使第一掩膜层覆盖第一沟槽区的衬底,在衬底上形成第二掩膜层,并对第二掩膜层进行刻蚀,使第二掩膜层暴露出第一掩膜层以及第二沟槽区的衬底,以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜对第二沟槽区的衬底进行刻蚀,形成较浅的第二沟槽,对第一掩膜层进行刻蚀,使第二掩膜层暴露出第二沟槽区和第一沟槽区的衬底,以第二掩膜层为掩膜对第一沟槽区和第二沟槽区的衬底进行刻蚀,形成较深的第二沟槽和较浅的第一沟槽,从而可以采用一张光罩制作浅沟槽和深沟槽,进而可以降低制作成本。
今年以来晶合集成新获得专利授权244个,较去年同期增加了15.09%。结合公司2024年年报财务数据,2024年公司在研发方面投入了12.84亿元,同比增21.41%。
通过天眼查大数据分析,合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业,参与招投标项目630次;财产线索方面有商标信息52条,专利信息1219条,著作权信息7条;此外企业还拥有行政许可21个。
数据来源:天眼查APP
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本文来源:资讯纵横网
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